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Un corte de energía en una planta de Samsung reduce la producción de NAND Flash global de marzo en un 3.5%

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Un apagón el 9 de marzo, en una de las plantas de fabricación de memorias NAND flash de Samsung ubicadas en Pyeongtaek, Corea, tendrá un impacto notable en la producción mundial de memorias NAND.

Este apagón redujo la producción global de NAND para el mes de marzo de 2018 en un 3,5 por ciento, un número que no es insignificante, y se traduce en memoria no volátil para millones de dispositivos. También recorta la producción de Samsung en un 11 por ciento durante el mes. La fabricación de SIlicon es un proceso altamente sensible y se dice que el corte de energía ha dañado hasta 60,000 obleas de chips NAND flash.

El impacto de este evento en los precios globales de la memoria flash NAND, y los dispositivos basados ​​en él, está por verse. Cualquier inflación podría ser reducida de raíz por Samsung y otros fabricantes de memoria, lo que aumentaría significativamente la producción durante este trimestre. Samsung comenzará la expansión de su planta de NAND en Xi’an, China, que actualmente produce 120 mil obleas por mes y se espera que produzca 320 mil obleas mensuales después de la expansión.

Llama altamente la atención que no se tengan reparos para estos problemas y podríamos estar ante la excusa perfecta para seguir aumentando los precios de memoria.

Fuente: TomsHardware

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