Según fuentes del Taiwan Economic Daily, GizChina ha informado que TSMC ha logrado un «gran avance» en la creación del próximo proceso de litografía de 2 nm de la compañía.
TSMC se muestra optimista sobre el inicio de la producción del proceso a 2 nm a partir del segundo semestre de 2023, creando el primer nodo que no es FinFET de la compañía. A diferencia de 5nm y 3nm, el proceso de 2nm de TSMC utilizará un diseño similar a MBCFET (canal de puente múltiple).
Estos diseños de transistor proporcionan una cobertura de cuatro lados del canal del transistor, lo que reduce las pérdidas de potencia y aumenta el rendimiento potencial del transistor.
Los transistores MBCFET se basan en diseños GAAFET, lo que evita las fugas de corriente para reducir la pérdida de energía y aumentar la eficiencia energética. La producción en masa de 2nm podría comenzar en 2024, destaca TSMC.
