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TSMC comienza a producir chips a 7nm, además revela detalles de 5nm

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TSMC anunció que está produciendo en volumen chips a 7nm, la empresa espera hacer más de 50 tape-outs este año. El proceso de 7 nm ofrece un rendimiento de un 35% más y un consumo de energía de un 65% menos, y tiene una ganancia de 3 veces en la densidad por nodo.

Sin embargo, las ganancias son cada vez más pequeñas. Para el nodo N7+ de la compañía con EUV, no habrá ganancias de velocidad aparentes. Este nodo promete un 20% más de densidad y un 10% menos de consumo de energía, pero requerirá nuevas celdas estándar.

Entonces, ¿cómo se mide el nodo 7nm EUV? Los rendimientos de la prueba de TSMC de 256Mbit SRAM en N7+ son tan buenos como los rendimientos que se lograron para el nodo de 7nm inicial.

«TSMC ha validado en silicio lo que llama IP base para N7+. Sin embargo, varios bloques claves no estarán listos hasta finales de este año o principios del próximo, incluidos los 28-112G, las FPGA integradas, las interfaces HBM2 y DDR5.

Esperamos un 10-20% más de esfuerzo desplegando IP para el proceso EUV, dijo Cliff Hou, vicepresidente de I+D de plataformas de diseño y tecnología. «Desarrollamos una utilidad para migrar con esfuerzo incremental a IP», dijo.

Los flujos de EDA totalmente certificados para N7+ estarán listos para agosto. Mientras tanto, los rendimientos de una prueba SRAM de 256 Mbit en N7+ son tan buenos como los que fueron para el nodo de 7nm, dijo.»

También sabemos que TSMC tiene la intención de iniciar la producción de riesgo de 5nm a fines de 2019, este proceso se enfocará en los chips móviles de alto rendimiento. En comparación con el nodo de 7nm regular (no EUV), se proyecta que el proceso de 5nm tendrá un 15% de aumento de rendimiento o un consumo de energía un 20% menor, y una densidad de 1.8% mayor. Básicamente, para nodos futuros, EUV será necesario para lograr la misma ventaja de escalamiento que los nodos anteriores.

EUV: La litografía ultravioleta extrema (también conocida como EUV o EUVL) es una tecnología de litografía de última generación que utiliza una longitud de onda ultravioleta extrema (EUV). Más info en: WikiPedia

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