Es muy poca la adopción de DDR5, pero eso poco le importa a Samsung que durante un seminario en Corea del Sur hablo del desarrollo temprano de la memoria DDR6 y como la tecnología MSAP será muy importante.
Según Samsung, MSAP ya está siendo utilizado por sus competidores (SK Hynix y Micron) en DDR5. Entonces, ¿qué hay de nuevo con MSAP? Bueno, MSAP o el proceso semiaditivo modificado que permite a los fabricantes de DRAM crear módulos de memoria con circuitos más finos.
Esto se logra revistiendo patrones de circuitos en espacios vacíos que antes no se tocaron, lo que permite mejores conexiones y velocidades de transferencia más rápidas. La próxima generación de memoria DDR6 no solo aprovechará MSAP para mejorar la conexión del circuito, sino que también se adaptará al mayor número de capas que se incorporarán a la memoria DDR6.
Samsung espera que su diseño DDR6 esté finalizado para 2024, pero no se espera un uso comercial después de 2025. En términos de especificaciones, la memoria DDR6 será hasta el doble de rápida que la memoria DDR5, con velocidades de transferencia de hasta 12800 Mbps (JEDEC ) y velocidades overclockeadas que superan el rango de 17,000 Mbps.
Actualmente, el DIMM DDR5 más rápido de Samsung tiene una velocidad de transferencia de hasta 7200 Mbps, lo que representa una mejora de 1,7x en JEDEC y de 2,36x con velocidades de overclocking para los chips de memoria de última generación.
Vía:
