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Samsung presenta una memoria DDR4 de 256GB

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El fabricante coreano esta semana presento su memoria de 16 gigabit (Gb) basada en la cartera de productos de memoria con módulos de memoria DDR4 de hasta 256 GB de capacidad.

Los chips de memoria de 16 Gb han permitido que el fabricante de NAND eleve la barra de capacidad hasta 256 GB. Estamos hablando de 256GB de memoria en un solo dispositivo. El módulo está disponible en formatos LRDIMM (M386ABG40M50-CYF) y RDIMM (M393ABG40M52-CYF). Opera a 2.933 MHz y tiene una latencia CAS de 21 o 24 dependiendo del modelo. A pesar de la gran capacidad y frecuencia, el voltaje de operación del módulo se adhiere a la especificación JEDEC oficial de 1.2V.

Aunque el módulo de 256 GB de Samsung está claramente dirigido a servidores, es probable que solo sea cuestión de tiempo antes de que esta capacidad llegue al consumidor final.

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