Samsung presentó detalles sobre sus próximos productos de memoria flash NAND en su evento Tech Day en San José.
Una de las cosas interesantes, es que Samsung parece estar trabajando en dos nuevos discos de consumo con memoria flash QLC NAND; El 860 QVO SATA y el 980 QVO NVMe.
El gigante surcoreano también reveló que se agregará un nuevo chip de memoria flash QLC de 512Gb a la línea en el segundo trimestre de 2019. Este chip promete un mayor rendimiento que el actual dado de 1Tb:
“Samsung también mencionó que en el segundo trimestre de 2019 planean introducir una matriz QLC de 512Gb de mayor rendimiento para complementar su matriz de 1Tb actual. Samsung comparó el rendimiento de este nuevo dado de 512Gb contra el QLC de 1Tb de un competidor no especificado, alegando que el QLC de alto rendimiento de Samsung tendrá un 37% menos de latencia de lectura y un 45% menor de latencia del programa. Sus diapositivas sugirieron que las diferencias de rendimiento con respecto a la parte de 1Tb de Samsung podrían ser aún mayores, pero Samsung no cuantificó esto.”
