Samsung tiene una de las fábricas de semiconductores más grandes del mundo y sigue trabajando en ello para ser la primera. Actualmente apunta a competir contra la enorme TSMC, que tiene 50% del mercado versus una «pequeña» Samsung de tan sólo 15%.
Sin embargo, ahora Samsung reveló su kit de diseño para el nodo 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor) para que los potenciales clientes puedan obtener ejemplos a esta nanometraje tan bajo. GAA está basado en el diseño de FinFET, por lo que es más barato que los nuevos 5nm de TSMC, cuyos diseños son totalmente nuevos y es necesario un rediseño de la arquitectura en la mayoría de casos.
GAAFET tiene más control en el flujo de electricidad que los FinFET, particularmente en tan pequeña escala.
Samsung tiene los nodos de 6nm, 5nm y 4nm aún por venir, aunque no estamos del todo seguros de si esos son derivados del mismo proceso esencial. Teóricamente, GAAFET 3nm llegará en el 2021.
