¡Las últimas noticias!

Samsung actualizo su hoja de ruta y planea comenzar la producción de GAAFET a 3nm en 2021

Comparte este post

Samsung acaba de actualizar su hoja de ruta e indico que pretende comenzar la producción masiva de transistores FET Gate-al-Around GAA en 2021. Esta tecnología será la sucesora de FinFET y el primer nodo llegaría fabricado en el proceso de 3nm.

«La tecnología GAA ha estado en desarrollo desde principios de la década del 2000 por Samsung y otras empresas. Los transistores GAA son transistores de efecto de campo (FET) que cuentan con una compuerta en los cuatro lados del canal para superar las limitaciones físicas de escalado y rendimiento de los FinFET, incluida la tensión de alimentación.

La tecnología patentada GAA de Samsung, conocida como FET con múltiples bridge to bridge (MBCFET), ha estado en desarrollo desde 2002, según Ryan Sanghyun Lee, vicepresidente de mercado de Samsung Foundry. MCBFET utiliza un dispositivo de nano hojas para mejorar el control de la compuerta, mejorando significativamente el rendimiento del transistor, según la compañía.»

El gigante surcoreano también confirmó que planea comenzar la producción de LPP EUV de 7nm en la segunda mitad de este año. Otros nodos en la hoja de ruta incluyen la producción de FinFET a 5nm en 2019 y FinFET de 4nm en 2020.

Más info en: EETimes

Videojuegos y películas: una relación de inspiración mutua
La industria del entretenimiento siempre nos brinda un notable catálogo...
¿Quién es el fabricante de nuestra fuente de poder?
La mayoría lo sabe, pero todavía hay muchas personas que...
Recopilación: Teclas para acceder a la BIOS/UEFI
El otro día nos tocó acceder a la BIOS de...
Review Remo Recover – Programa para recuperar archivos eliminados en SSD’s
Introducción La perdida de datos es un problema muy importante...

Telegram de Info Cero

Únete a nuestro Telegram para estar al tanto de todas las noticias