En un evento, Samsung compartió nuevos detalles sobre su tecnología de 3nm y gracias a David Schor de Wikichip que estaba allí podemos ver impresionantes cifras de rendimiento de su proceso 3GAE (gate-all-around) de 3 nm.
Samsung just mentioned some numbers for 3GAE and the numbers are impressive if they end up being anywhere near true when it ramps. >65% lower power or >40% higher performance @ 2.5x the density vs. 7LPP. Excellent channel control. (can't take photos, sorry!).
— David Schor (@david_schor) October 14, 2019
El gigante tecnológico surcoreano ahora predice que 3GAE ofrecerá un 65% menos de consumo de energía y un rendimiento 40% más alto que su nodo 7LPP. El proceso también ofrece 2,5 veces la densidad frente a este último.
Parece que Samsung ha sido capaz de realizar mejoras sustanciales, ya que la compañía habló previamente sobre un corte de consumo de energía del 50% o un rendimiento 35% más alto, y una reducción de área de solo 45%.
Se espera que el proceso 3GAE de Samsung alcance la producción de riesgo en 2021 antes de comenzar la producción en masa en 2022. Si Samsung puede cumplir sus promesas, este nuevo proceso puede estar a la par con los 7 nm de Intel en términos de densidad.
