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AMD Zen 3 aprovechara el proceso de 7nm+ EUV para aumentar la densidad de los transistores en un 20%

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La microarquitectura «Zen 3» de AMD podría diseñarse para el nodo mejorado de 7nm+ EUV (ultravioleta extrema) en TSMC, que promete un aumento significativo del 20% en las densidades de transistores en comparación con el nodo de 7nm DUV (ultravioleta profundo) en el cual se están fabricando los procesadores Zen 2.

Además, el nodo también reducirá el consumo de energía hasta en un 10% con la misma carga operativa. En una entrevista a fines de 2018, el CTO Mark Papermaster declaró que el objetivo de diseño de AMD con «Zen 3» sería priorizar la eficiencia energética, y que presentaría mejoras «modestas» de rendimiento sobre «Zen 2».

AMD dejó en claro que no arrastrará el DUV de 7nm sobre más de una microarquitectura (Zen 2), y que «Zen 3» debutará en 2020 en los 7nm+ EUV.

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